Etude de la recristallisation du silicium par procédé laser nanoseconde pour la formation et le contrôle des jonctions ultraminces
La réalisation des jonctions ultra-minces et fortement dopées est un enjeu majeur pour la continuité de la miniaturisation des dispositifs microélectroniques. Les techniques de production en termes d'implantation ionique et de recuit d'activation doivent évoluer afin de répondre aux exigen...
Enregistré dans:
| Hovedforfatter: | |
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| Andre forfattere: | , |
| Format: | Thèse numérique |
| Sprog: | Français |
| Udgivet: |
2011.
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| Fag: | |
| Online adgang: | Accès au texte intégral https://theses.univ-orleans.fr/public/2011ORLE2007_va.pdf http://www.theses.fr/2011ORLE2007/abes https://theses.hal.science/tel-00639065 |
| Kommentar: |
Titre provenant de l'écran-titre Ecole(s) Doctorale(s) : École doctorale Sciences et technologies (Orléans ; 2009-2012) Partenaire(s) de recherche : Groupe de recherches sur l'énergétique des milieux ionisés (Orléans ; 1996-2011) (Laboratoire) Autre(s) contribution(s) : Philippe Delaporte (Président du jury) ; Nadjib Semmar, Eric Millon, Philippe Delaporte, Danièle Blanc-Pelissier, Eric Fogarassy, Alain Straboni, Frank Torregrosa (Membre(s) du jury) ; Danièle Blanc-Pelissier, Eric Fogarassy (Rapporteur(s)) |
| Autres localisations: | Voir dans le Sudoc |
| Variante du titre: | Study of the recrystallization of silicon by nanosecond laser process for realization and control of ultra-shallow junctions |