CROISSANCE EN PHASE VAPEUR AUX ORGANOMETALLIQUES DES SYSTEMES : ARSENIURE DE GALLIUM ET SILICIURE DE FER SUR SUBSTRATS DE SILICIUM
APRES UNE PRESENTATION DES PROPRIETES CRISTALLOGRAPHIQUES, ELECTRIQUES ET OPTIQUES DES MATERIAUX: ASGA ET DU SYSTEME FE-SI, NOUS DONNONS UNE DESCRIPTION DU REACTEUR D'EPITAXIE EN PHASE VAPEUR AUX ORGANOMETALLIQUES UTILISE POUR LA CROISSANCE DE CES COMPOSES SUR DES SUBSTRATS SILICIUM (100) ET (1...
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| Auteur principal: | |
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| Autres auteurs: | |
| Format: | Thèse et Mémoire papier |
| Langue: | Français |
| Publié: |
[S.l.] :
[s.n.]
1992.
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| Sujets: | |
| Note: |
1992CLF21435 |
| Autres localisations: | Voir dans le Sudoc |
| Variante du titre: | ORGANOMETALLIC VAPOR PHASE GROWTH OF THE HETEROSTRUCTURES: GALLIUM ARSENIDE AND IRON SILICIDES ON SILICON SUBSTRATES |
Orléans - BU Sciences Technologies STAPS
| Localisation | Cote | Type de prêt | Statut | |
|---|---|---|---|---|
| Magasin | TS7 1992 18 | Disponible |