Interrupteurs électroniques de puissance
Au sommaire : les transistors MOS de puissance (MOSFET), les transistors bipolaires à grille isolée (IGBT), associations série ou parallèle des MOS et IGBT, mise en oeuvre des diodes rapides, applications du carbure de silicium en électronique
Enregistré dans:
| Dans: | Traité EGEM, |
|---|---|
| Autres auteurs: | |
| Format: | Livre papier |
| Langue: | Français |
| Publié: |
Paris :
Hermès Science publ. : Lavoisier
impr. 2003.
|
| Collection: | Traité EGEM : électronique, génie électrique, microsystèmes. Génie électrique
|
| Sujets: | |
| Autres localisations: | Voir dans le Sudoc |
| Consulter le titre dans une bibliothèque: | |
| Edition sous un autre format: | • Interrupteurs électroniques de puissance, sous la direction de Robert Perret, Paris, Lavoisier, cop. 2003, Traité EGEM, 978-2-74-620671-7 |