Interrupteurs électroniques de puissance
Au sommaire : les transistors MOS de puissance (MOSFET), les transistors bipolaires à grille isolée (IGBT), associations série ou parallèle des MOS et IGBT, mise en oeuvre des diodes rapides, applications du carbure de silicium en électronique
Gorde:
| Argitaratua izan da: | Traité EGEM, |
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| Beste egile batzuk: | |
| Formatua: | Livre papier |
| Hizkuntza: | Français |
| Argitaratua: |
Paris :
Hermès Science publ. : Lavoisier
impr. 2003.
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| Saila: | Traité EGEM : électronique, génie électrique, microsystèmes. Génie électrique
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| Gaiak: | |
| Autres localisations: | Voir dans le Sudoc |
| Consulter le titre dans une bibliothèque: | |
| Edition sous un autre format: | • Interrupteurs électroniques de puissance, sous la direction de Robert Perret, Paris, Lavoisier, cop. 2003, Traité EGEM, 978-2-74-620671-7 |
Châteauroux - IUT de l'Indre
| Kokapena | Sailkapena | Type de prêt | Egoera | |
|---|---|---|---|---|
| IUT Châteauroux, Fonds Général | 621.3 PER | Eskuragarri |
Orléans - BU Sciences Technologies STAPS
| Kokapena | Sailkapena | Type de prêt | Egoera | |
|---|---|---|---|---|
| Technologies, 1er étage | 621.381 5 INT | Eskuragarri |