Interrupteurs électroniques de puissance
Au sommaire : les transistors MOS de puissance (MOSFET), les transistors bipolaires à grille isolée (IGBT), associations série ou parallèle des MOS et IGBT, mise en oeuvre des diodes rapides, applications du carbure de silicium en électronique
Kaydedildi:
| Yayımlandı: | Traité EGEM, |
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| Diğer Yazarlar: | |
| Materyal Türü: | Livre papier |
| Dil: | Français |
| Baskı/Yayın Bilgisi: |
Paris :
Hermès Science publ. : Lavoisier
impr. 2003.
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| Seri Bilgileri: | Traité EGEM : électronique, génie électrique, microsystèmes. Génie électrique
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| Konular: | |
| Autres localisations: | Voir dans le Sudoc |
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| Edition sous un autre format: | • Interrupteurs électroniques de puissance, sous la direction de Robert Perret, Paris, Lavoisier, cop. 2003, Traité EGEM, 978-2-74-620671-7 |
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| 504 | |a Bibliogr. en fin de chapitres. Index | ||
| 520 | |a Au sommaire : les transistors MOS de puissance (MOSFET), les transistors bipolaires à grille isolée (IGBT), associations série ou parallèle des MOS et IGBT, mise en oeuvre des diodes rapides, applications du carbure de silicium en électronique | ||
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