Interrupteurs électroniques de puissance
Au sommaire : les transistors MOS de puissance (MOSFET), les transistors bipolaires à grille isolée (IGBT), associations série ou parallèle des MOS et IGBT, mise en oeuvre des diodes rapides, applications du carbure de silicium en électronique
Enregistré dans:
| 發表在: | Traité EGEM, |
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| 其他作者: | |
| 格式: | Livre papier |
| 語言: | Français |
| 出版: |
Paris :
Hermès Science publ. : Lavoisier
impr. 2003.
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| 叢編: | Traité EGEM : électronique, génie électrique, microsystèmes. Génie électrique
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| 主題: | |
| Autres localisations: | Voir dans le Sudoc |
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| Edition sous un autre format: | • Interrupteurs électroniques de puissance, sous la direction de Robert Perret, Paris, Lavoisier, cop. 2003, Traité EGEM, 978-2-74-620671-7 |
| 總結: | Au sommaire : les transistors MOS de puissance (MOSFET), les transistors bipolaires à grille isolée (IGBT), associations série ou parallèle des MOS et IGBT, mise en oeuvre des diodes rapides, applications du carbure de silicium en électronique |
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| 實物描述: | 1 vol. (326 p.) : ill., fig. ; 25 cm. |
| 參考書目: | Bibliogr. en fin de chapitres. Index |
| ISBN: | 2746206714 (rel.) |