MISE AU POINT, DEVELOPPEMENT ET INTEGRATION DE MATERIAUX A BASE DE SI ET GE DANS LES TECHNOLOGIES AVANCEES SILICIUM DE TYPE CMOS, BICMOS ET ALTERNATIVES
COMME SUITE A SON INTRODUCTION DANS LA TECHNOLOGIE BIPOLAIRE, LE MATERIAU SIGE A ETE ETUDIE EN VUE DE SON INTRODUCTION DANS LES TECHNOLOGIES CMOS STANDARD (<0,15M) OU ALTERNATIVES. A L'AIDE D'UNE MACHINE CVD MONO-PLAQUE INDUSTRIELLE, PLUSIEURS TYPES D'ALLIAGES SIGE ONT ETE ETUDIES,...
Enregistré dans:
| Auteur principal: | |
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| Autres auteurs: | |
| Format: | Thèse et Mémoire papier |
| Langue: | Français |
| Publié: |
[S.l.] :
[s.n.]
1999.
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| Sujets: | |
| Note: |
1999ORLE2046 |
| Autres localisations: | Voir dans le Sudoc |
Orléans - BU Sciences Technologies STAPS
| Localisation | Cote | Type de prêt | Statut | |
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| Magasin | TS 19-1999-46 b |
A consulter sur place
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| Magasin | TS 19-1999-46 | Disponible |