MISE AU POINT ET CARACTERISATION DE PROCEDES PLASMA INTERVENANT LORS DE L'ELABORATION DES INTERCONNEXIONS POUR LES FILIERES CMOS
CETTE ETUDE VISE A UNE MEILLEURE COMPREHENSION DES MECANISMES DE GRAVURE PAR PLASMA DES MATERIAUX POUR REALISER LES INTERCONNEXIONS EN MICROELECTRONIQUE SILICIUM (AL ET SIO 2). LES PRINCIPALES TECHNIQUES DE CARACTERISATION EMPLOYEES SONT LA SPECTROSCOPIE DE PHOTO-ELECTRONS X (XPS) IN-SITU ET L'...
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| المؤلف الرئيسي: | |
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| مؤلفون آخرون: | |
| التنسيق: | Thèse et Mémoire papier |
| اللغة: | Français |
| منشور في: |
[S.l.] :
[s.n.]
1999.
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| الموضوعات: | |
| ملاحظة: |
1999ORLE2007 |
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