REALISATION ET ETUDE D'OXYDE DE SILICIUM POUR LE REMPLISSAGE DE TRANCHEES PEU PROFONDES POUR L'ISOLEMENT LATERAL (STI)
Pour les technologies micro-electronique cmos inferieures ou egales a 0,25 m, l'isolement par tranchees peu profondes ou sti (pour shallow trench isolation) devient necessaire pour poursuivre l'integration des circuits integres. Ce travail est consacre au remplissage des tranchees peu prof...
Guardat en:
| Autor principal: | |
|---|---|
| Altres autors: | |
| Format: | Thèse et Mémoire papier |
| Idioma: | Français |
| Publicat: |
1997.
|
| Matèries: | |
| Nota: |
1997ORLE2010 |
| Autres localisations: | Voir dans le Sudoc |
| Variante du titre: | Deposition and study of silicon oxide for shallow trench isolation |