REALISATION ET ETUDE D'OXYDE DE SILICIUM POUR LE REMPLISSAGE DE TRANCHEES PEU PROFONDES POUR L'ISOLEMENT LATERAL (STI)
Pour les technologies micro-electronique cmos inferieures ou egales a 0,25 m, l'isolement par tranchees peu profondes ou sti (pour shallow trench isolation) devient necessaire pour poursuivre l'integration des circuits integres. Ce travail est consacre au remplissage des tranchees peu prof...
Kaydedildi:
| Yazar: | |
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| Diğer Yazarlar: | |
| Materyal Türü: | Thèse et Mémoire papier |
| Dil: | Français |
| Baskı/Yayın Bilgisi: |
1997.
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| Konular: | |
| Not: |
1997ORLE2010 |
| Autres localisations: | Voir dans le Sudoc |
| Variante du titre: | Deposition and study of silicon oxide for shallow trench isolation |
| LEADER | 02586nam a22002657a 4500 | ||
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| 001 | 197290 | ||
| 008 | 990313s1997 xxe ||| |||| 00| 0 fre d | ||
| 009 | PPN043698816 | ||
| 041 | 0 | |a fre |b fre | |
| 084 | |a 001.D.03.F.17 | ||
| 084 | |a 620 | ||
| 100 | 1 | |a Gaillard, Frédéric, |d 19..-...., |c auteur en sciences des matériaux. | |
| 240 | 1 | 0 | |a Deposition and study of silicon oxide for shallow trench isolation |
| 245 | 1 | 0 | |a REALISATION ET ETUDE D'OXYDE DE SILICIUM POUR LE REMPLISSAGE DE TRANCHEES PEU PROFONDES POUR L'ISOLEMENT LATERAL (STI) |c Frederic Gaillard ; sous la direction de Pascal Brault. |
| 260 | |c 1997. | ||
| 300 | |a 1 vol. (196 P.). | ||
| 500 | |a 1997ORLE2010 | ||
| 502 | |a Thèse de doctorat. Sciences appliquées. Orléans. 1997 | ||
| 504 | |a 19 REF. | ||
| 520 | |a Pour les technologies micro-electronique cmos inferieures ou egales a 0,25 m, l'isolement par tranchees peu profondes ou sti (pour shallow trench isolation) devient necessaire pour poursuivre l'integration des circuits integres. Ce travail est consacre au remplissage des tranchees peu profondes avec de l'oxyde depose par cvd. Les caracteristiques physico-chimiques et electriques de l'oxyde lpcvd sont etudiees avant et apres recuit. Deux types de recuits ont ete testes : les recuits par plasma et les recuits dans un four a haute temperature. Pour obtenir un film ayant des caracteristiques physiques proches de celles de la silice, le film lpcvd doit subir un recuit sous plasma suivie d'un recuit en four a 850c sous atmosphere oxydante ou a 1150c sous atmosphere neutre. Une correlation entre les mesures physiques (ftir) et electriques (c(v)) a ete obtenue. L'integration de cet oxyde lpcvd dans une filiere cmos 0,25 m en developpement a permis de demontrer la faisabilite de l'isolement par tranchees peu profondes. Les proprietes de cet oxyde lpcvd sont comparees a d'autres oxydes pouvant etre utilises pour l'application sti : oxyde sacvd et oxyde hdp-cvd. | ||
| 650 | |a Thèses et écrits académiques | ||
| 700 | 1 | |a Brault, Pascal, |d 1961- |4 ths | |
| 710 | 2 | |a Université d'Orléans. |4 dgg | |
| 787 | 0 | 8 | |i Reproduced as: |0 245729283 |t REALISATION ET ETUDE D'OXYDE DE SILICIUM POUR LE REMPLISSAGE DE TRANCHEES PEU PROFONDES POUR L'ISOLEMENT LATERAL (STI) |f Frederic Gaillard |d 1997 |c Grenoble |n Atelier national de reproduction des thèses |p Microfiches |s [Grenoble thèses] |
| 997 | |0 197290 |1 Thèse et Mémoire papier |a Ressource papier |c 0/Orléans/ |c 1/Orléans/BU Sciences, Technologies, STAPS/ |z Orléans, BU Sciences, Technologies, STAPS, TS 19-1997-10 |z Orléans, BU Sciences, Technologies, STAPS, TS 19-1997-10b | ||