Etude de la réactivité induite par laser de l'ammoniac sur une surface de silicium
Ce travail est consacré à la photochimie laser de l'ammoniac en surface du silicium afin de comprendre les premières étapes de la croissance de couches minces de nitrure de silicium assistée par rayonnement. A cette fin, les effets d'un faisceau laser UV (^=355 nm, ?=4,1 ns) ont été étudié...
Enregistré dans:
| Hovedforfatter: | Gonthiez, Thierry, 1975- |
|---|---|
| Andre forfattere: | Brault, Pascal, 1961- (Directeur de thèse) |
| Format: | Thèse et Mémoire papier |
| Sprog: | Français |
| Udgivet: |
[S.l.] :
[s.n.]
2001.
|
| Fag: | |
| Autres localisations: | Voir dans le Sudoc |
| Variante du titre: | Laser photochemistry of ammonia on silicon surface |
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