Etude de la réactivité induite par laser de l'ammoniac sur une surface de silicium

Ce travail est consacré à la photochimie laser de l'ammoniac en surface du silicium afin de comprendre les premières étapes de la croissance de couches minces de nitrure de silicium assistée par rayonnement. A cette fin, les effets d'un faisceau laser UV (^=355 nm, ?=4,1 ns) ont été étudié...

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Opis bibliograficzny
1. autor: Gonthiez, Thierry, 1975-
Kolejni autorzy: Brault, Pascal, 1961- (Promotor doktoranta)
Format: Thèse et Mémoire papier
Język:Français
Wydane: [S.l.] : [s.n.] 2001.
Hasła przedmiotowe:
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Variante du titre:Laser photochemistry of ammonia on silicon surface

Orléans - BU Sciences Technologies STAPS

Szczegóły zapisu Orléans - BU Sciences Technologies STAPS
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