Etude de la réactivité induite par laser de l'ammoniac sur une surface de silicium
Ce travail est consacré à la photochimie laser de l'ammoniac en surface du silicium afin de comprendre les premières étapes de la croissance de couches minces de nitrure de silicium assistée par rayonnement. A cette fin, les effets d'un faisceau laser UV (^=355 nm, ?=4,1 ns) ont été étudié...
Đã lưu trong:
| Tác giả chính: | |
|---|---|
| Tác giả khác: | |
| Định dạng: | Thèse et Mémoire papier |
| Ngôn ngữ: | Français |
| Được phát hành: |
[S.l.] :
[s.n.]
2001.
|
| Những chủ đề: | |
| Autres localisations: | Voir dans le Sudoc |
| Variante du titre: | Laser photochemistry of ammonia on silicon surface |
| LEADER | 03579nam a22003377a 4500 | ||
|---|---|---|---|
| 001 | 189822 | ||
| 008 | 030123s2001 xxe ||| |||| 00| 0 fre d | ||
| 009 | PPN069384665 | ||
| 041 | 0 | |a fre |b fre |b eng | |
| 084 | |a 530 | ||
| 100 | 1 | |a Gonthiez, Thierry, |d 1975- | |
| 240 | 1 | 0 | |a Laser photochemistry of ammonia on silicon surface |
| 245 | 1 | 0 | |a Etude de la réactivité induite par laser de l'ammoniac sur une surface de silicium |c par Thierry Gonthiez ; [sous la dir. de] Pascal Brault,... |
| 260 | |a [S.l.] : |b [s.n.], |c 2001. | ||
| 300 | |a 155 p. : |b graph. ; |c 30 cm. | ||
| 502 | |a Thèse de doctorat. Physique. Orléans. 2001 | ||
| 504 | |a Notes bibliogr. | ||
| 506 | |a Publication autorisée par le jury | ||
| 520 | |a Ce travail est consacré à la photochimie laser de l'ammoniac en surface du silicium afin de comprendre les premières étapes de la croissance de couches minces de nitrure de silicium assistée par rayonnement. A cette fin, les effets d'un faisceau laser UV (^=355 nm, ?=4,1 ns) ont été étudiés sur des surfaces de silicium à température ambiante avant, pendant et après des expositions à de faibles quantités d'ammoniac (p<10-8 mbar). Pour caractériser les phénomènes physico-chimiques en surface, nous utilisons des diagnostics laser (désorption laser couplée à la photoionisation laser et à la spectroscopie de masse), la spectroscopie des électrons Auger (AES), la microscopie (électronique et optique) et la profilométrie (mécanique ou optique). L'irradiation d'une surface de silicium avec de faibles énergies laser induit des modofocations de surface qui s'accompagnent de la désorption d'atomes neutres et ionisés de Si. Deux populations distinctes d'atomes de Si sont émis de la surface. La première, caractérisée par une énergie cinétique indépendante de l'énergie laser (E=0,043 eV), provient de mécanismes d'origine électronique . La deuxième, caractérisée par une cinétique qui dépend de l'énergie laser, correspond à un processus thermique en surface. L'énergie cinétique de ces espèces est alors équivalente à une température de surface au moment de leur éjection. Lors de l'exposition du silicium à l'ammoniac, les molécules de NH3 s'adsorbent spontanément à température ambiante et ne se dissocient que partiellement en surface. Selon l'état de surface, le premier degré de dissociation (NH3-NH2+H) est soit spontané, soit activé par les irradiations. Dans les deux cas, les radicaux NH2 sont liés à Si et forment des liaisons Si-NH2. Selon les énergies laser, les molécules Si-NH2 sont soit désorbées, soit dissociées en Si-NH. Plus l'énergie laser est importante plus cette voie de dissociation devient prépondérante. | ||
| 650 | |a Silicium | ||
| 650 | |a Ammoniac | ||
| 650 | |a Spectroscopie de masse par désorption de champ | ||
| 650 | |a Adsorption | ||
| 650 | |a Photochimie laser | ||
| 650 | |a Spectroscopie atomique | ||
| 650 | |a Spectroscopie moléculaire | ||
| 650 | |a Thèses et écrits académiques | ||
| 700 | 1 | |a Brault, Pascal, |d 1961- |4 ths | |
| 710 | 2 | |a Université d'Orléans. |4 dgg | |
| 787 | 0 | 8 | |i Reproduced as: |0 246632305 |t Etude de la réactivité induite par laser de l'ammoniac sur une surface de silicium |f par Thierry Gonthiez |d 2001 |c Grenoble |n Atelier national de reproduction des thèses |p Microfiches |s [Grenoble thèses] |
| 997 | |0 189822 |1 Thèse et Mémoire papier |a Ressource papier |c 0/Orléans/ |c 1/Orléans/BU Sciences, Technologies, STAPS/ |z Orléans, BU Sciences, Technologies, STAPS, TS 19-2001-71 |z Orléans, BU Sciences, Technologies, STAPS, TS 19-2001-71 b | ||