Dispositifs HEMT à base de GaN Technologie et caractérisation
Kaydedildi:
| Materyal Türü: | Article de revue numérique |
|---|---|
| Dil: | Indéterminée |
| Baskı/Yayın Bilgisi: |
Techniques de l'ingénieur
2017.
|
| Online Erişim: | Accès Université d'Orléans Accès INSA CVL |
| Not: |
Techniques de l'ingénieur |
| Variante du titre: | Dispositifs HEMT à base de GaN Technologie et caractérisation |
Benzer Materyaller
-
Dispositifs HEMT à base de GaN Matériaux et épitaxie
(Article de revue numérique)
Techniques de l'ingénieur, 2024 -
Procédé de gravure de couches atomiques de GaN pour la conception de transistors HEMT
(Thèse numérique)
Hamraoui, Lamiae, 1995-
, 2023 -
AlGaN/GaN-HEMT power amplifiers with optimized power-added efficiency for X-band applications
(Livre numérique)
Kühn, Jutta
KIT Scientific Publishing, 2021 -
Versetzungen und inverse Pyramidendefekte in AlGaN/GaN-HEMT-Strukturen auf Si und deren Einfluss auf Material- und Bauelementeigenschaften
(Livre numérique)
Besendörfer, Sven
FAU University Press, 2025 -
Excitonic spin relaxation in GaN
(Article ou chapitre numérique)
C. Brimont, ve diğerleri
EDP Sciences, 2008