Strain-Induced Effects in Advanced MOSFETs
Strain is used to boost performance of MOSFETs. Modeling of strain effects on transport is an important task of modern simulation tools required for device design. The book covers all relevant modeling approaches used to describe strain in silicon. The subband structure in stressed semiconductor fil...
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| Auteur principal: | |
|---|---|
| Format: | Livre numérique |
| Langue: | Anglais |
| Publié: |
Vienna :
Springer Vienna
[20..].
Cham : Springer Nature |
| Édition: | 1st ed. 2011. |
| Collection: | Computational Microelectronics
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| Accès en ligne: | Accès sur la plateforme de l'éditeur Accès sur la plateforme Istex Accès Université d'Orléans Accès INSA CVL |
| Note: |
Archives Springer e-books (Licence nationale) Archives Springer e-books (Licence nationale) |
| Autres localisations: | Voir dans le Sudoc |
| Edition sous un autre format: | • Strain-Induced Effects in Advanced MOSFETs, Texte imprimé, 9783709103814 • Strain-Induced Effects in Advanced MOSFETs, Texte imprimé, 9783709103838 • Strain-Induced Effects in Advanced MOSFETs, Texte imprimé, 9783709119334 |