Process and Device Simulation for MOS-VLSI Circuits
Uloženo v:
| Další autoři: | , , , |
|---|---|
| Médium: | Livre numérique |
| Jazyk: | Anglais |
| Vydáno: |
Cham :
Springer International Publishing
[20..].
Cham : Springer Nature |
| On-line přístup: | Accès sur la plateforme de l'éditeur Accès sur la plateforme Istex Accès Université d'Orléans Accès INSA CVL |
| Poznámka: |
Autre(s) contributeur(s) : William G. Oldham Archives Springer e-books (Licence nationale) Archives Springer e-books (Licence nationale) |
| Autres localisations: | Voir dans le Sudoc |
| Edition sous un autre format: | • Process and Device Simulation for MOS-VLSI Circuits, 978-94-009-6844-8 |
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| 500 | |a Archives Springer e-books (Licence nationale) | ||
| 506 | |a Accès en ligne pour les établissements français bénéficiaires des licences nationales | ||
| 506 | |a Accès soumis à abonnement pour tout autre établissement | ||
| 506 | |a Conditions particulières de réutilisation pour les bénéficiaires des licences nationales. https://www.licencesnationales.fr/springer-nature-ebooks-contrat-licence-ln-2017 | ||
| 700 | 1 | |a Dutton, Robert W. |4 clb | |
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