Process and Device Simulation for MOS-VLSI Circuits

Enregistré dans:
Détails bibliographiques
Autres auteurs: Dutton, Robert W. (Collaborateur), Antognetti, Paolo (Collaborateur), Antoniadis, Dimitri A. (Collaborateur), Oldham, William G. (Collaborateur)
Format: Livre numérique
Langue:Anglais
Publié: Cham : Springer International Publishing [20..].
Cham : Springer Nature
Accès en ligne:Accès sur la plateforme de l'éditeur
Accès sur la plateforme Istex
Accès Université d'Orléans
Accès INSA CVL
Note: Autre(s) contributeur(s) : William G. Oldham
Archives Springer e-books (Licence nationale)
Archives Springer e-books (Licence nationale)
Autres localisations: Voir dans le Sudoc
Edition sous un autre format:• Process and Device Simulation for MOS-VLSI Circuits, 978-94-009-6844-8
Description
Description:Autre(s) contributeur(s) : William G. Oldham
Archives Springer e-books (Licence nationale)
Archives Springer e-books (Licence nationale)
ISBN:9789400968424
Accès:Accès en ligne pour les établissements français bénéficiaires des licences nationales
Accès soumis à abonnement pour tout autre établissement
Conditions particulières de réutilisation pour les bénéficiaires des licences nationales. https://www.licencesnationales.fr/springer-nature-ebooks-contrat-licence-ln-2017