Ishibashi, Y., & Okuyama, M. Ferroelectric Thin Films: Basic Properties and Device Physics for Memory Applications (1st ed. 2005.). Springer Berlin Heidelberg.
Cytowanie według stylu Chicago (wyd. 17)Ishibashi, Yoshihiro, i Masanori Okuyama. Ferroelectric Thin Films: Basic Properties and Device Physics for Memory Applications. 1st ed. 2005. Berlin, Heidelberg: Springer Berlin Heidelberg.
Cytowanie według stylu MLA (wyd. 8)Ishibashi, Yoshihiro, i Masanori Okuyama. Ferroelectric Thin Films: Basic Properties and Device Physics for Memory Applications. 1st ed. 2005. Springer Berlin Heidelberg.
Uwaga: Te cytaty mogą odróżniać się od wytycznej twojego fakultetu..