Ion implantation and synthesis of materials

Ion implantation is one of the key processing steps in silicon integrated circuit technology. Some integrated circuits require up to 17 implantation steps and circuits are seldom processed with less than 10 implantation steps. Controlled doping at controlled depths is an essential feature of implant...

Descripció completa

Guardat en:
Dades bibliogràfiques
Autors principals: Nastasi, Michael Anthony, 1950-...., physicien, Mayer, James W., 1930- (Autor)
Format: Livre numérique
Idioma:Anglais
Publicat: Berlin, Heidelberg : Springer Berlin Heidelberg : Springer e-books [20..].
Cham : Springer Nature
Accés en línia:Accès sur la plateforme de l'éditeur
Accès sur la plateforme Istex
Accès Université d'Orléans
Accès INSA CVL
Nota: Archives Springer e-books (Licence nationale)
Archives Springer e-books (Licence nationale)
Autres localisations: Voir dans le Sudoc
Edition sous un autre format:• Ion implantation and synthesis of materials, Michael Nastasi, J. W. Mayer, New York, Springer, 2006, 1 vol. (XIII-263 p.), 3-540-23674-0

Ítems similars