Gosset, N., Dussart, R., Cardinaud, C., Cartry, G., Possémé, N., & Tillocher, T. (2016). Procédés de gravure plasma pour la réalisation de structures verticales de diodes Schottky de nouvelle génération à base de GaN.
Lua i Stíl Chicago (17ú heag.)Gosset, Nicolas, Rémi Dussart, Christophe Cardinaud, Gilles Cartry, Nicolas Possémé, agus Thomas Tillocher. Procédés De Gravure Plasma Pour La Réalisation De Structures Verticales De Diodes Schottky De Nouvelle Génération à Base De GaN. 2016.
Lua MLA (8ú heag.)Gosset, Nicolas, et al. Procédés De Gravure Plasma Pour La Réalisation De Structures Verticales De Diodes Schottky De Nouvelle Génération à Base De GaN. 2016.
Rabhadh: Seans nach mbeach na luanna seo go hiomlán cruinn i ngach uile chás.