Réalisation de jonctions ultra courtes par multi-implantation dans du Si
Les circuits deviennent de plus en plus intégrés pour augmenter les performances des dispositifs microélectroniques. La formation de jonctions ultra courtes (USJs) est un challenge majeur pour la réalisation de la prochaine génération de transistors à effet de champ (MOSFET) ayant une longueur de gr...
محفوظ في:
| المؤلف الرئيسي: | |
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| مؤلفون آخرون: | , |
| التنسيق: | Thèse numérique |
| اللغة: | Français |
| منشور في: |
2009.
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| الموضوعات: | |
| الوصول للمادة أونلاين: | Accès au texte intégral https://theses.univ-orleans.fr/public/2009ORLE2047_va.pdf http://www.theses.fr/2009ORLE2047/abes https://theses.hal.science/tel-00494619 |
| ملاحظة: |
Titre provenant de l'écran-titre Ecole(s) Doctorale(s) : École doctorale Sciences et technologies (Orléans ; 2009-2012) Partenaire(s) de recherche : Conditions extrêmes et matériaux : haute température et irradiation (Orléans ; 2008-...) (Laboratoire) Autre(s) contribution(s) : Eric Millon (Président du jury) ; Esidor Ntsoenzok, Bernard Pichaud, Eric Millon, Stephen E. Donnelly, Aomar Halimaoui, Gabrielle Regula, Frank Torregrosa, Fuccio Cristiano (Membre(s) du jury) ; Stephen E. Donnelly, Aomar Halimaoui (Rapporteur(s)) |
| Autres localisations: | Voir dans le Sudoc |
| Variante du titre: | Realization of ultra shallow junctions by multi-implantation in Si |