CONTRIBUTION A L'ETUDE DE LA PASSIVATION DE COMPOSANTS SUR ARSENIURE DE GALLIUM : CARACTERISATION DE FILMS DIELECTRIQUES REALISES PAR DEPOT EN PHASE VAPEUR ASSISTE PAR PLASMA
LES TRANSISTORS A EFFET CHAMP A CONTACT METAL-SEMICONDUCTEUR, NON PASSIVES, REALISES SUR ARSENIURE DE GALLIUM SONT SUJET A UNE DEGRADATION PROGRESSIVE DE LEURS PERFORMANCES STATIQUES ET DYNAMIQUES AUX HYPERFREQUENCES. CE DEFAUT DE FONCTIONNEMENT EST EN PARTI ATTRIBUE AUX SURFACES D'ARSENIURE DE...
Uloženo v:
| Hlavní autor: | |
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| Další autoři: | |
| Médium: | Thèse et Mémoire papier |
| Jazyk: | Français |
| Vydáno: |
[Lieu de publication inconnu] :
[Éditeur inconnu]
1986.
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| Témata: | |
| Autres localisations: | Voir dans le Sudoc |
| Variante du titre: | STUDY OF THE PASSIVATION OF GALLIUM ARSENIDE DEVICES THROUGH THE CHARACTERIZATION OF PLASMA DEPOSITED DIELECTRIC FILMS |