Nucléation, croissance et comportement des poussières dans les plasmas réactifs radiofréquence basse pression : des nanocristaux aux grains submicroniques polycristallins

Les gaz ionisés contenant des particules solides, appelés plasmas poussiéreux, sont principalement utilisés pour le dépôt de couches minces et la synthèse de nanoparticules aux propriétés maîtrisées. L'objectif de cette thèse était de synthétiser des poussières de taille et/ou composition chimi...

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書誌詳細
第一著者: Cavarroc, Marjorie, 1980-
その他の著者: Boufendi, Laïfa (論文の指導者)
フォーマット: Thèse et Mémoire papier
言語:Anglais
出版事項: [S.l.] : [s.n.] 2007.
主題:
注記: Textes en anglais et résumés en français
Autres localisations: Voir dans le Sudoc
Variante du titre:Nucleation, growth and behavior of dust particles in reactive low pressure radiofrequency plasmas :, from nanocrystals to submicron polycrystalline grains
Edition sous un autre format:• Nucléation, croissance et comportement des poussières dans les plasmas réactifs radiofréquence basse pression, des nanocristaux aux grains submicroniques polycristallins, par Marjorie Cavarroc, 2008, Villeurbanne, [CCSD]
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245 1 0 |a Nucléation, croissance et comportement des poussières dans les plasmas réactifs radiofréquence basse pression :  |b des nanocristaux aux grains submicroniques polycristallins   |c par Marjorie Cavarroc ; [sous la dir. de] L. Boufendi,... 
260 |a [S.l.] :  |b [s.n.],  |c 2007. 
300 |a 1 vol. (207 p.) :  |b ill. en noir et en coul. ;  |c 30 cm. 
500 |a Textes en anglais et résumés en français 
502 |a Thèse de doctorat. Physique des plasmas. Orléans. 2007 
504 |a Bibliogr. p. 191-200 
506 |a Publication autorisée par le jury 
520 |a Les gaz ionisés contenant des particules solides, appelés plasmas poussiéreux, sont principalement utilisés pour le dépôt de couches minces et la synthèse de nanoparticules aux propriétés maîtrisées. L'objectif de cette thèse était de synthétiser des poussières de taille et/ou composition chimique connues en vue d'applications en microélectronique, photovoltaïque (nanocristaux de silicium) et astrophysique (tholins, ISD grains). La localisation et l'étude du démarrage de la phase d'agrégation des nanocristaux, par l'étude paramétrique d'une instabilité, ont été réalisées dans des plasmas d'Argon/Silane. Puis, une étude de la forme et du comportement du nuage de poussières a été menée dans deux décharges différentes. Elles ont mis en évidence la forte influence de la croissance des poussières sur le plasma et sur le nuage, et d'optimiser nos paramètres de dépôt pour les nanocristaux de silicium non-agglomérés. Une étude paramétrique des caractéristiques électriques du plasma (courant, tension et densités électronique et ionique) en Azote/Méthane a permis de cibler les meilleurs paramètres pour synthétiser des tholins (aérosols analogues de Titan). Par ailleurs, l'ellipsométrie in-situ de Mie-Rayleigh en chimie Azote/Acétylène nous a donné certaines informations sur les analogues de poussières interstellaires synthétisés (structure, indice optique). Finalement, l'effet des basses températures de gaz a été exploré afin d'augmenter la taille des nanocristaux de silicium. Différentes hypothèses (chimiques et thermodynamiques) sont discutées dans le but d'expliquer les effets observés : accélération de la cinétique de croissance et augmentation de la taille des nanocristaux. 
650 |a Plasmas (gaz ionisés) 
650 |a Matériaux nanostructurés 
650 |a Plasmas poussiéreux 
650 |a Nanoparticules 
650 |a Thèses et écrits académiques 
700 1 |a Boufendi, Laïfa.  |4 ths 
710 2 |a Université d'Orléans.  |4 dgg 
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787 0 8 |i Reproduced as:  |0 24702371X  |t Nucléation, croissance et comportement des poussières dans les plasmas réactifs radiofréquence basse pression  |o des nanocristaux aux grains submicroniques polycristallins  |f par Marjorie Cavarroc  |d 2007  |c Lille  |n Atelier national de reproduction des thèses  |p Microfiches  |s Lille-thèses 
997 |0 252197  |1 Thèse et Mémoire papier  |a Ressource papier  |c 0/Orléans/  |c 1/Orléans/BU Sciences, Technologies, STAPS/  |z Orléans, BU Sciences, Technologies, STAPS, TS 19-2007-29  |z Orléans, BU Sciences, Technologies, STAPS, TS 19-2007-29 b