Composants à semiconducteurs : de la physique du solide aux transistors
"Cours de base à Supélec, l'ouvrage enrichira les connaissances de tout étudiant, ingénieur ou enseignant en EEA, en expliquant clairement les principes et le fonctionnement des composants microélectroniques, qui sont les "briques" constituantes des circuits intégrés et des carte...
Sábháilte in:
| Príomhchruthaitheoir: | |
|---|---|
| Formáid: | Livre papier |
| Teanga: | Français |
| Foilsithe / Cruthaithe: |
Paris :
Ellipses
DL 2006.
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| Sraith: | Technosup : les filières technologiques des enseignements supérieurs. Supélec
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| Ábhair: | |
| Nóta: |
Niveau C : Compléments (approfondissement, spécialisation), Ecoles d'ingénieurs, Master Autre(s) tirage(s) : 2010 |
| Autres localisations: | Voir dans le Sudoc |
Clár na nÁbhar:
- Chapitre I- Eléments de cristallographie
- 1. Introduction aux réseaux cristallins
- 2. Réseaux cristallins
- 3. Réseau récirpoque
- 4. Zone de Brillouin
- 5. Diffraction dans un cristal
- 6. Représentation du cristal de solicium
- Chapitre II- Electrons dans un cristal
- 1. Potentiel d'un électron dans un cristal
- 2. Modèle de l'électron libre dans un cristal. Modèle de Sommerfeld
- 3. Modèle de l'électron quasi-libre dans un cristal
- 4. Conclusion sur les diagrammes d'énergie
- Chapitre III- Notions de statistique, systèmes de particules
- 1. Pression et énergie d'une molécule dans un gaz parfait
- 2. Distribution d'énergie des molécules dans un gaz parfait
- 3. Distribution de Maxwell
- 4. Fonctions de distribution de Fermi-Dirac
- Chapitre IV- Introduction à la physique du semiconducteur
- 1. Bandes d'énergie
- 2. Porteurs de charge
- 3. Semiconducteur extrinsèque
- Génération - recombinaison - durée de vie des porteurs
- Chapitre V- Phénomènes de transport
- 1. Conductivité - dérive dans un chmap électrique
- 2. Diffusion des porteurs
- 3. Densités d ecourant totales dans un semiconducteur
- 4. Relation d'Einstein
- 5. Equations de continuité
- 6. Equation de Poisson
- 7. Densités de courant généralisées
- 8. Piézo-résistance et piézo-électricité
- 9. Effet Hall
- 10.Conclusion
- Chapitre VI- Jonction pn - diodes à jonction
- 1. Constitution
- 2. Etude de la jonction pn à l'équilibre thermodynamique
- 3. Etude de la jonction pn polarisée
- 4. Jonctions appliquées aux diodes
- Chapitre VII- Le transistor bipolaire
- 1. Constitution
- 2. Principe de fonctionnement
- 3. Effets des recombinaisons
- 4. Autres effets et limites physiques principales
- 5. Schémas équivalents électriques du transistor
- 6. Conclusion
- Chapitre VIII- Le transistor à effet de champ à grille isolée - transistor MOS
- 1. Constitution
- 2. Principe de fonctionnement
- 3. Analyse physique de la structure métal oxyde semiconduteur idéale
- 4. Caractéristique de transistor MOS idéal
- 5. Schémas équivalents électriques du MOS
- 5. Défauts cristallins et de surface
- Chapitre IX- Le transistor à effet de champ à jonction : transistors JFET
- 1. COnstitution
- 2. Symboles
- 3. Principe de fonctionnement
- 4. Modélisation simplifiée de la structure
- 5. Schémas équivalents
- 6. Conclusion
- Chapitre X- La diode métal-semiconducteur : diode Schottky
- 1. Constitution
- 2. Diagrammes des bandes d'énergie
- 3. Etude du contact Schottky : zone de charge d'espace
- 4. Effet d'abaissement de barrière : effet Schottky
- 5. Transport à travers la jonction
- 6. Conclusion