Composants à semi-conducteur pour l'électronique de puissance
La 4ème de couverture indique : L'électronique envahissant toutes les branches de l'industrie moderne, les composants à semi-conducteur sont devenus le quotidien des ingénieurs et techniciens. Connaître leurs comportements pour savoir les utiliser au mieux de leurs capacités est donc deven...
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| Auteurs principaux: | , |
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| Format: | Livre papier |
| Langue: | Français |
| Publié: |
Londres ; Paris ; New-York :
Tec et Doc : Lavoisier
DL 2004.
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| Sujets: | |
| Note: |
Le livre porte par erreur l'ISSN 0243-5624 correspondant à la collection Sciences et techniques agro-alimentaires de Tec et Doc |
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Table des matières:
- Introduction
- 1. Classification des interrupteurs
- 2. Éléments sur le fonctionnement des principaux composants de puissance
- 3. Structure des principaux composants
- 4. Exemple d'utilisation de composants à semi-conducteur en électronique de puissance: le hacheur série
- Chapitre 1 Tenue en tension
- 1. Jonction P+N- sous polarisation inverse
- 2. Claquage de la jonction PN
- 3. Diode PIN
- 4. Diode Schottky
- 5. Super-jonction
- 6. Transistor bipolaire
- 7. Transistor MOS de puissance
- 8. IGBT
- 9. Thyristors
- 10. GTO et IGCT
- 11. Variation de la tension tenue en fonction de la température
- 12. Tenue en tension periphérique
- 13. Comparaison des tensions maximales pouvant être tenues par les différents composants
- Chapitre 2 Courants directs dans les composants
- 1. Rappel sur le transport des charges: les deux mécanismes
- 2. Diode P+I N+ à l'état passant
- 3. Transistor bipolaire de puissance à l'état conducteur
- 4. Thyristors à l'état passant
- 5. Courant circulant dans les transistors à grille isolée
- Chapitre 3 Modulation de la résistivité
- 1. Intérêt de moduler la résistivité
- 2. Charge stockée, forte injection et neutralité
- 3. Contrôle de la charge stockée
- 4. Modulation de la résistivité et charge stockée
- 5. Injecteurs de trous et d'électrons
- 6. Structures élémentaires et efficacité de la modulation de la résistivité pour les principaux composants bipolaires
- Chapitre 4 Effets bi-dimensionnels
- Introduction: les trois dimensions des composants de puissance
- 1. Claquage à la périphérie des composants
- 2. Focalisation des lignes de courant dans les transistors bipolaires
- 3. Extension latérale du plasma à l'amorçage des thyristors
- 4. Extraction d'un fort courant par l'électrode de commande des GTO et des IGCT
- 5. Effet bi-dimensionnel dans les thyristors-GTO à l'extinction
- 6. Largeur du canal et périmètre de source dans les transistors MOS (et les IGBT)
- 7. Auto-blindage de la grille par perçage latéral dans les transistors MOS de puissance
- 8. Transistors MOS à tranchée
- Chapitre 5 Commutation des composants de puissance
- 1. Principes généraux concernant la commutation
- 2. Commutation des composants bipolaires
- 3. Commutation des transistors à grille isolée
- 4. Techniques pour améliorer la rapidité de la commutation
- 5. Rapidité des composants unipolaires
- 6. Complément sur certains aspects dynamiques
- 7. Rapidité: comparaison des différents interrupteurs à semi-conducteur
- Chapitre 6 Pertes
- 1. Introduction
- 2. Analyse simplifiée des pertes pour les composants bipolaires fonctionnant en commutation commandée
- 3. Particularités des composants à grille isolée
- 4. Compromis pertes - perturbations
- Chapitre 7 Aires de sécurité
- Introduction
- 1. Diodes
- 2. Transistors bipolaires
- 3. Thyristors, GTO et IGCT
- 4. Transistors Mos et IGBT
- 5. Régimes extrêmes de fonctionnement
- Chapitre 8 Circuits d'aide à la commutation et circuits associés
- 1. Circuits d'aide à la commutation (CALC) et écrêteurs
- 2. Circuits résonants et quasi-résonants
- 3. Redressement synchrone
- Chapitre 9 Circuits de commande
- 1. Introduction
- 2. Commande des transistors bipolaires
- 3. Commandes des thyristors
- 4. Commande des thyristors blocables (GTO et IGCT)
- 5. Circuits de commande pour transistors Mos et IGBT
- 6. Protections des régimes de court-circuit gérées par les circuits de commande (transistors Mos et IGBT)
- Chapitre 10 Notions sur les propriétés thermiques du silicium et la thermique des composants de puissance
- Introduction
- 1. Conduction thermique
- 2. Régimes transitoires
- Chapitre 11 Éléments de technologie du silicium et des composants de puissance
- 1. Salle blanche
- 2. Silicium monocristallin
- 3. Oxydation thermique du silicium
- 4. Localisation des traitements et attaques: la lithographie
- 5. Gravure
- 6. Dopage localisé
- 7. Matériaux en couches minces
- 8. Exemples de filières technologiques
- 9. Étapes finales de la fabrication des composants
- Chapitre 12 Intégration des composants de puissance - Semi-conducteurs à grand gap
- Introduction
- 1. Intégration monolithique: les circuits intégrés de puissance
- 2. Intégration hybride: les modules de puissance
- 3. Semi-conducteurs à grand gap
- Tableau synoptique des composants de puissance à semi-conducteur
- Complément 1 Courant électrique dans le silicium
- Complément 2 Éléments de physique des composants