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| LEADER |
00923nam a22002177a 4500 |
| 001 |
204015 |
| 008 |
040303s1973 xxe ||| |||| 00| 0 fre d |
| 009 |
PPN076665615 |
| 041 |
0 |
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|a fre
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| 084 |
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|a 530
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| 100 |
1 |
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|a Loyau, Jean-Bernard.
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| 245 |
1 |
0 |
|a Etude de la croissance cristalline de l'arséniure de gallium
|c par Jean-Bernard Loyau.
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| 260 |
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|a [S.l.] :
|b [s.n.],
|c 1973.
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| 300 |
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|a 83 p. :
|b ill. ;
|c 30 cm.
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| 502 |
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|a Thèse 3e cycle. Physique du solide. Orléans. 1973
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| 504 |
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|a Bibliogr. p. 71
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| 650 |
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|a Semiconducteurs à l'arséniure de gallium
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| 650 |
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|a Croissance cristalline
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| 650 |
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|a Thèses et écrits académiques
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| 710 |
2 |
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|a Université d'Orléans.
|4 dgg
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| 997 |
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|0 204015
|1 Thèse et Mémoire papier
|a Ressource papier
|c 0/Orléans/
|c 1/Orléans/BU Sciences, Technologies, STAPS/
|z Orléans, BU Sciences, Technologies, STAPS, TS 19-1973-22
|z Orléans, BU Sciences, Technologies, STAPS, TS 19-1973-22 a
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