Les transistors : éléments d'intégration des circuits analogiques
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| Autor principal: | |
|---|---|
| Formato: | Livre papier |
| Idioma: | Français |
| Publicado em: |
Paris :
Dunod
DL 1995.
86-Ligugé : Impr. Aubin |
| Colecção: | Dunod université
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| Assuntos: | |
| Nota: |
La couverture porte en plus : "écoles d'ingénieurs, 2e cycle universitaire" Autre tirage : 2002 La couv. porte en plus : "écoles d'ingénieurs, 2e cycle universitaire" |
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Sumário:
- Chapitre 1. Semiconducteurs et jonctions
- 1.1 Introduction
- 1.2Les diodes à semiconducteurs
- 1.3 Symboles graphiques et conditionnement
- Chapitre 2. Le transistor à effet de champ
- 2.1 Introduction
- 2.2 le FET à jonction ou JFET
- 2.3 Les FET à grille isolée (IGFET ou MOS)
- 2.4 Polarisation
- 2.5 Le FET comme cellule amplificatrice
- 2.6 Les interrupteurs à FET
- 2.7 Process 50 n-channel JFET
- 2.8 Exercices
- Chapitre 3. Le transistor bipolaire
- 3.1 Introduction
- 3.2 Techniques de fabrication
- 3.3 Principe de fonctionnement
- 3.4 Transistor bipolaire en commutation
- 3.5 Polarisation
- 3.6 Amplificateur à transistor bipolaire
- 3.7 Caractéristiques du CA3086
- 3.8 Le transistor bipolaire, polarisation et étude en petits signaux : exercices
- Chapitre 4. Associations de transistors et éléments d'intégration : exercices
- 4.1 Introduction
- 4.2 Combinaisons de type cascode
- 4.3 Combinaisons de type darlington
- 4.4 La structure push-pull
- 4.5 Charges actives
- 4.6 Cellule différentielle
- 4.7 Liaisons directes et translation de tension
- 4.8 Exercices de synthèse
- 4.9 Travaux pratiques

