Les transistors : éléments d'intégration des circuits analogiques

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Detalhes bibliográficos
Autor principal: Blot, Joseph, 1938-
Formato: Livre papier
Idioma:Français
Publicado em: Paris : Dunod DL 1995.
86-Ligugé : Impr. Aubin
Colecção:Dunod université
Assuntos:
Nota: La couverture porte en plus : "écoles d'ingénieurs, 2e cycle universitaire"
Autre tirage : 2002
La couv. porte en plus : "écoles d'ingénieurs, 2e cycle universitaire"
Autres localisations: Voir dans le Sudoc
Sumário:
  • Chapitre 1. Semiconducteurs et jonctions
  • 1.1 Introduction
  • 1.2Les diodes à semiconducteurs
  • 1.3 Symboles graphiques et conditionnement
  • Chapitre 2. Le transistor à effet de champ
  • 2.1 Introduction
  • 2.2 le FET à jonction ou JFET
  • 2.3 Les FET à grille isolée (IGFET ou MOS)
  • 2.4 Polarisation
  • 2.5 Le FET comme cellule amplificatrice
  • 2.6 Les interrupteurs à FET
  • 2.7 Process 50 n-channel JFET
  • 2.8 Exercices
  • Chapitre 3. Le transistor bipolaire
  • 3.1 Introduction
  • 3.2 Techniques de fabrication
  • 3.3 Principe de fonctionnement
  • 3.4 Transistor bipolaire en commutation
  • 3.5 Polarisation
  • 3.6 Amplificateur à transistor bipolaire
  • 3.7 Caractéristiques du CA3086
  • 3.8 Le transistor bipolaire, polarisation et étude en petits signaux : exercices
  • Chapitre 4. Associations de transistors et éléments d'intégration : exercices
  • 4.1 Introduction
  • 4.2 Combinaisons de type cascode
  • 4.3 Combinaisons de type darlington
  • 4.4 La structure push-pull
  • 4.5 Charges actives
  • 4.6 Cellule différentielle
  • 4.7 Liaisons directes et translation de tension
  • 4.8 Exercices de synthèse
  • 4.9 Travaux pratiques