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| LEADER |
00975nam a22002297a 4500 |
| 001 |
150362 |
| 008 |
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| 009 |
PPN000791474 |
| 020 |
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|c (Br.)
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| 041 |
0 |
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|a fre
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| 082 |
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|a 620
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| 100 |
1 |
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|a Soares, Robert-Alain.
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| 245 |
1 |
0 |
|a Applications des transistors à effet de champ en arséniure de gallium
|c sous la coordination de R. Soares, J. Obregon et J. Graffeuil.
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| 260 |
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|a Paris :
|b Eyrolles,
|c 1984.
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| 300 |
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|a 1 vol. (XI-517 p.) :
|b ill. ;
|c 25 cm.
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| 490 |
1 |
|
|a Collection technique et scientifique des télécommunications
|x 0231-2579
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| 504 |
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|
|a Bibliogr. en fin de chapitres. Index
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| 650 |
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|a Semiconducteurs à l'arséniure de gallium
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| 650 |
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|a Transistors à effet de champ
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| 700 |
1 |
|
|a Obregon, Juan,
|d 19..-
|4 pbd
|
| 700 |
1 |
|
|a Graffeuil, Jacques,
|d 19..-
|4 pbd
|
| 997 |
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|0 150362
|1 Livre papier
|a Ressource papier
|c 0/Orléans/
|c 1/Orléans/BU Sciences, Technologies, STAPS/
|z Orléans, BU Sciences, Technologies, STAPS, F76-14
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