Applications des transistors à effet de champ en arséniure de gallium

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Détails bibliographiques
Auteur principal: Soares, Robert-Alain
Autres auteurs: Obregon, Juan, 19..- (Directeur de la publication), Graffeuil, Jacques, 19..- (Directeur de la publication)
Format: Livre papier
Langue:Français
Publié: Paris : Eyrolles 1984.
Collection:Collection technique et scientifique des télécommunications
Sujets:
Autres localisations: Voir dans le Sudoc
Description
Description matérielle:1 vol. (XI-517 p.) : ill. ; 25 cm.
Bibliographie:Bibliogr. en fin de chapitres. Index
ISSN:0231-2579