Transistors bipolaires intégrés Technologies BiCMOS silicium germanium

Na minha lista:
Detalhes bibliográficos
Formato: Article de revue numérique
Idioma:Indéterminée
Publicado em: Techniques de l'ingénieur 2021.
Acesso em linha:Accès Université d'Orléans
Accès INSA CVL
Nota: Techniques de l'ingénieur
Variante du titre:Transistors bipolaires intégrés Technologies BiCMOS silicium germanium
LEADER 01118nam a22001457a 4500
001 1470532
008 u2032 xxe ||| |||| 00| 0 und d
041 0 |a und 
240 1 0 |a Transistors bipolaires intégrés Technologies BiCMOS silicium germanium 
245 0 0 |a Transistors bipolaires intégrés Technologies BiCMOS silicium germanium   |c Chevalier , Pascal. 
260 |b Techniques de l'ingénieur,  |c 2021. 
500 |a Techniques de l'ingénieur 
856 4 |u https://ezproxy.univ-orleans.fr/login?url=https://www.techniques-ingenieur.fr/base-documentaire/electronique-photonique-th13/microelectronique-dispositifs-technologies-et-circuits-42286210/transistors-bipolaires-integres-e2427/  |z Accès Université d'Orléans 
856 4 |u https://ezproxy.insa-cvl.fr/login?qurl=https://www.techniques-ingenieur.fr/base-documentaire/electronique-photonique-th13/microelectronique-dispositifs-technologies-et-circuits-42286210/transistors-bipolaires-integres-e2427/  |z Accès INSA CVL 
997 |0 1470532  |1 Article de revue numérique  |a Ressource numérique  |b INSA  |b ENSA  |c 0/Bibliothèque numérique/  |c 1/Bibliothèque numérique/Autre ressource numérique/