Composants actifs discrets. 2, [transistors à effet de champ, intégration, simulation]

D'après l'avant-propos : " Le chapitre 4 présente le transistor à effet de champ à jonction JFET et à grille isolée MOSFET. On trouve dans le chapitre 5 les principes de la commutation faible puissance et forte puissance. Le chapitre 6 présente la technologie des circuits intégrés ana...

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書誌詳細
第一著者: Girard, Michel, 1941-
フォーマット: Livre papier
言語:Français
出版事項: Paris ; Auckland ; Bogota : McGraw-Hill impr. 1990
シリーズ:Électronique analogique
主題:
Autres localisations: Voir dans le Sudoc
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504 |a Bibliogr. p. 525 
520 |a D'après l'avant-propos : " Le chapitre 4 présente le transistor à effet de champ à jonction JFET et à grille isolée MOSFET. On trouve dans le chapitre 5 les principes de la commutation faible puissance et forte puissance. Le chapitre 6 présente la technologie des circuits intégrés analogiques bipolaires, BIFET, BIMOS, MOS et CMOS pour des fonctions classiques comme les amplificateurs opérationnels, les commutateurs analogiques, et moins classiques comme les circuits à capacités commutées. Le chapitre 7 présente les différentes technologies numériques (TTL, ECL, MOS, NMOS, CMOS, etc.) pour des fonctions à faible et forte intégration. Le chapitre 8 représente le sommet de la technologie intégrée avec l'apparition des ASIC pour différents degrés d'intégration à la demande, depuis les réseaux logiques programmables, jusqu'aux circuits spécifiques.Au chapitre 9, quelques éléments de CAO sont indiqués en simulation analogique avec des composants discrets classiques puis avec des composants intégrables dont les caractéristiques sont fournies par les fondeurs" 
650 |a Transistors à effet de champ 
650 |a Circuits intégrés 
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